Hyppää sisältöön
    • FI
    • ENG
  • FI
  • /
  • EN
OuluREPO – Oulun yliopiston julkaisuarkisto / University of Oulu repository
Näytä viite 
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Kaksiasteinen transimpedanssivahvistin avalanche-valodiodille

Järvelä, Lasse (2016-08-23)

 
Avaa tiedosto
nbnfioulu-201608292667.pdf (1.526Mt)
nbnfioulu-201608292667_pdfa_report.xml (174.5Kt)
nbnfioulu-201608292667_mods.xml (10.86Kt)
nbnfioulu-201608292667_solr.xml (25.71Kt)
Lataukset: 


Järvelä, Lasse
L. Järvelä
23.08.2016
© 2016 Lasse Järvelä. Tämä Kohde on tekijänoikeuden ja/tai lähioikeuksien suojaama. Voit käyttää Kohdetta käyttöösi sovellettavan tekijänoikeutta ja lähioikeuksia koskevan lainsäädännön sallimilla tavoilla. Muunlaista käyttöä varten tarvitset oikeudenhaltijoiden luvan.
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi:oulu-201608292667
Tiivistelmä
Tämän kandidaatintyön tarkoituksena oli rakentaa matalakohinainen, mutta samalla laajan kaistanleveyden omaava transimpedanssivahvistin avalanche- fotodiodille käytettäväksi optoelektroniikan eri sovelluksiin.

Työ toteutettiin kaksiasteisena vahvistimena, jonka suunniteltu kokonaistransimpedanssi oli 2520 kΩ ja kaistanleveys 10 MHz. Työn alussa hyödynnettiin tietokonesimulaatioita suorituskyvyn arvioimiseksi. Lisäksi piirilevyä suunniteltaessa kiinnitettiin erityistä huomiota haitallisen hajakapasitanssin minimoimiseen.

Mittausten perusteella laitteen toiminta osoittautui odotetun kaltaiseksi ja mitatut arvot olivat lähellä aikaisemmin esitettyjä.
 
The purpose of this thesis was to design and build a low noise, wideband transimpedance amplifier for an avalanche photodiode. This device could be used in various optoelectronic applications, such as laser rangefinders.

The work consisted a two-stage amplifier with a planned total transimpedance of 2520 kΩ and bandwidth of 10 MHz. Simulations were used to confirm the performance of the design. In addition, special attention was given to the circuit board layout in order to minimize harmful parasitic capacitance.

When the device was completed, measurements largely matched simulated result.
 
Kokoelmat
  • Avoin saatavuus [38358]
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen
 

Selaa kokoelmaa

NimekkeetTekijätJulkaisuajatAsiasanatUusimmatSivukartta

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen