Kaksiasteinen transimpedanssivahvistin avalanche-valodiodille
Järvelä, Lasse (2016-08-23)
L. Järvelä
23.08.2016
© 2016 Lasse Järvelä. Tämä Kohde on tekijänoikeuden ja/tai lähioikeuksien suojaama. Voit käyttää Kohdetta käyttöösi sovellettavan tekijänoikeutta ja lähioikeuksia koskevan lainsäädännön sallimilla tavoilla. Muunlaista käyttöä varten tarvitset oikeudenhaltijoiden luvan.
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi:oulu-201608292667
https://urn.fi/URN:NBN:fi:oulu-201608292667
Tiivistelmä
Tämän kandidaatintyön tarkoituksena oli rakentaa matalakohinainen, mutta samalla laajan kaistanleveyden omaava transimpedanssivahvistin avalanche- fotodiodille käytettäväksi optoelektroniikan eri sovelluksiin.
Työ toteutettiin kaksiasteisena vahvistimena, jonka suunniteltu kokonaistransimpedanssi oli 2520 kΩ ja kaistanleveys 10 MHz. Työn alussa hyödynnettiin tietokonesimulaatioita suorituskyvyn arvioimiseksi. Lisäksi piirilevyä suunniteltaessa kiinnitettiin erityistä huomiota haitallisen hajakapasitanssin minimoimiseen.
Mittausten perusteella laitteen toiminta osoittautui odotetun kaltaiseksi ja mitatut arvot olivat lähellä aikaisemmin esitettyjä. The purpose of this thesis was to design and build a low noise, wideband transimpedance amplifier for an avalanche photodiode. This device could be used in various optoelectronic applications, such as laser rangefinders.
The work consisted a two-stage amplifier with a planned total transimpedance of 2520 kΩ and bandwidth of 10 MHz. Simulations were used to confirm the performance of the design. In addition, special attention was given to the circuit board layout in order to minimize harmful parasitic capacitance.
When the device was completed, measurements largely matched simulated result.
Työ toteutettiin kaksiasteisena vahvistimena, jonka suunniteltu kokonaistransimpedanssi oli 2520 kΩ ja kaistanleveys 10 MHz. Työn alussa hyödynnettiin tietokonesimulaatioita suorituskyvyn arvioimiseksi. Lisäksi piirilevyä suunniteltaessa kiinnitettiin erityistä huomiota haitallisen hajakapasitanssin minimoimiseen.
Mittausten perusteella laitteen toiminta osoittautui odotetun kaltaiseksi ja mitatut arvot olivat lähellä aikaisemmin esitettyjä.
The work consisted a two-stage amplifier with a planned total transimpedance of 2520 kΩ and bandwidth of 10 MHz. Simulations were used to confirm the performance of the design. In addition, special attention was given to the circuit board layout in order to minimize harmful parasitic capacitance.
When the device was completed, measurements largely matched simulated result.
Kokoelmat
- Avoin saatavuus [27832]