Hyppää sisältöön
    • FI
    • ENG
  • FI
  • /
  • EN
OuluREPO – Oulun yliopiston julkaisuarkisto / University of Oulu repository
Näytä viite 
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Suppression of dynamic current leakage in avalanche S-diode switching circuits

Prudaev, Ilya A.; Vainshtein, Sergey N.; Kopyev, Viktor V.; Oleinik, Vladimir L.; Marochkin, Sergey N. (2021-11-25)

 
Avaa tiedosto
nbnfi-fe2022083056767.pdf (302.2Kt)
nbnfi-fe2022083056767_meta.xml (36.66Kt)
nbnfi-fe2022083056767_solr.xml (33.54Kt)
Lataukset: 

URL:
https://doi.org/10.1109/led.2021.3130596

Prudaev, Ilya A.
Vainshtein, Sergey N.
Kopyev, Viktor V.
Oleinik, Vladimir L.
Marochkin, Sergey N.
Institute of Electrical and Electronics Engineers
25.11.2021

I. A. Prudaev, S. N. Vainshtein, V. V. Kopyev, V. L. Oleinik and S. N. Marochkin, "Suppression of Dynamic Current Leakage in Avalanche S-Diode Switching Circuits," in IEEE Electron Device Letters, vol. 43, no. 1, pp. 100-103, Jan. 2022, doi: 10.1109/LED.2021.3130596

https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
© 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
doi:https://doi.org/10.1109/led.2021.3130596
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2022083056767
Tiivistelmä

Abstract

This work investigates the dynamic current leakage of \(S\)-diode, which is a GaAs-based avalanche switch doped with deep Fe acceptor traps. The dynamic leakage has negative effect on superfast switching parameters of this unique device, and here we suggest an original way of reducing the leakage by means of circuit design. It is shown that an additional bias for avalanche S-diode in the current pulse generation circuit forms a negatively charged layer of iron traps near the electron-injecting junction. As a result, the concentration of nonequilibrium electrons goes down, which leads to a decrease in leakage current by ∼3–4 times, and a rise in S-diode switching voltage. The results were obtained in the experimental study and are approved by calculation.

Kokoelmat
  • Avoin saatavuus [37606]
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen
 

Selaa kokoelmaa

NimekkeetTekijätJulkaisuajatAsiasanatUusimmatSivukartta

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen