Hyppää sisältöön
    • FI
    • ENG
  • FI
  • /
  • EN
OuluREPO – Oulun yliopiston julkaisuarkisto / University of Oulu repository
Näytä viite 
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Fabrication and characterization of c-Si/porous-Si/CdS/ZnxCd1-xo heterojunctions for applications in nanostructured solar cells

Mamedov, Huseyn M.; Muradov, Mustafa; Konya, Zoltan; Kukovecz, Akos; Kordas, Krisztian; Shah, Syed Ismat; Mamedova, Vusala J.; Ahmedova, Khumar M.; Tagiyev, Elgun B.; Mamedov, Vusal U. (2018-09-30)

 
Avaa tiedosto
nbnfi-fe202003097626.pdf (358.0Kt)
nbnfi-fe202003097626_meta.xml (47.64Kt)
nbnfi-fe202003097626_solr.xml (32.14Kt)
Lataukset: 

URL:
https://doi.org/10.4302/plp.v10i3.813

Mamedov, Huseyn M.
Muradov, Mustafa
Konya, Zoltan
Kukovecz, Akos
Kordas, Krisztian
Shah, Syed Ismat
Mamedova, Vusala J.
Ahmedova, Khumar M.
Tagiyev, Elgun B.
Mamedov, Vusal U.
Photonics Society of Poland
30.09.2018

Mamedov, H., Muradov, M., Konya, Z., Kukovecz, A., Kordas, K., Shah, S. I., Mamedova, V., Ahmedova, K., Tagiyev, E., & Mamedov, V. (2018). Fabrication and characterization of c-Si/porous-Si/CdS/ZnxCd1-xO heterojunctions for applications in nanostructured solar cells. Photonics Letters of Poland, 10(3), 73. https://doi.org/10.4302/plp.v10i3.813

https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
© 2018 Photonics Society of Poland.
https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
doi:https://doi.org/10.4302/plp.v10i3.813
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe202003097626
Tiivistelmä

Abstract

Solar cells based on c-Si/porous-Si/CdS/ZnₓCd₁₋ₓO heterojunctions were synthesized by depositing CdS films on c-Si/porous-Si (PS) substrates by electrochemical deposition (ED). PS layers with systematically varied pore diameter (8÷45 nm) and were fabricated on p-type c-Si wafers using electrochemical etching. The window layers of ZnₓCd₁₋ₓO with several Zn concentrations(x=0.2; 0.4; 0.5 and 0.6) were also deposited on the CdS buffer layers by ED. The photoelectrical properties of heterojunctions were studied as functions of PS pore size and Zn content in ZnₓCd₁₋ₓO. The optimal pore size and Zn contents were found to be 10 nm and x=0.6, respectively. These yielded a solar cell sample exhibiting an efficiency of 9.9%, the maximum observed in this study.

Kokoelmat
  • Avoin saatavuus [37744]
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen
 

Selaa kokoelmaa

NimekkeetTekijätJulkaisuajatAsiasanatUusimmatSivukartta

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen