Hyppää sisältöön
    • FI
    • ENG
  • FI
  • /
  • EN
OuluREPO – Oulun yliopiston julkaisuarkisto / University of Oulu repository
Näytä viite 
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

High-power 1.5μm laser diodes for LIDAR applications

Viheriälä, Jukka; Aho, Antti T.; Uusitalo, Topi; Lyytikäinen, Jari; Hallman, Lauri; Ryvkin, Boris S.; Avrutin, Eugene A.; Kostamovaara, Juha T.; Guina, Mircea (2019-12-23)

 
Avaa tiedosto
nbnfi-fe2020062545671.pdf (125.5Kt)
nbnfi-fe2020062545671_meta.xml (48.00Kt)
nbnfi-fe2020062545671_solr.xml (34.35Kt)
Lataukset: 

URL:
https://doi.org/10.1109/HPD48113.2019.8938669

Viheriälä, Jukka
Aho, Antti T.
Uusitalo, Topi
Lyytikäinen, Jari
Hallman, Lauri
Ryvkin, Boris S.
Avrutin, Eugene A.
Kostamovaara, Juha T.
Guina, Mircea
Institute of Electrical and Electronics Engineers
23.12.2019

J. Viheriälä et al., "High-power 1.5μm laser diodes for LIDAR applications," 2019 IEEE High Power Diode Lasers and Systems Conference (HPD), Coventry, United Kingdom, 2019, pp. 9-10, doi: 10.1109/HPD48113.2019.8938669

https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
© 2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
doi:https://doi.org/10.1109/HPD48113.2019.8938669
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2020062545671
Tiivistelmä

Abstract

We report on the development of high peak power laser diodes emitting in the 1.5μm wavelength band for eye-safe LIDAR applications. Different techniques for wavelength locking to and operation with a narrow emission spectrum are discussed. Furthermore, we review the strategies to increase the beam brightness. Recent progress in new epitaxial layer designs enabling high peak powers is also discussed. Finally, we discuss the performance of the laser diodes in terms of improvements they render possible for high-performance LIDAR systems.

Kokoelmat
  • Avoin saatavuus [38549]

Samankaltainen aineisto

Näytetään aineisto, joilla on samankaltaisia nimekkeitä, tekijöitä tai asiasanoja.

  • Strong doping of the n-optical confinement layer for increasing output power of high- power pulsed laser diodes in the eye safe wavelength range 

    Ryvkin, Boris S.; Avrutin, Eugene A.; Kostamovaara, Juha T.
    Semiconductor science and technology : 12 (IOP Publishing, 13.10.2017)
  • Increasing output power of pulsed-eye safe wavelength range laser diodes by strong doping of the n-optical confinement layer 

    Avrutin, Eugene A.; Ryvkin, Boris S.; Kostamovaara, Juha T.
    IEEE High Power Diode Lasers and Systems Conference (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 18.01.2018)
  • High power 1.5 μm pulsed semiconductor laser design with a bulk active layer and an asymmetric waveguide 

    Ryvkin, Boris S.; Avrutin, Eugene A.; Hallman, Lauri W.; Kostamovaara, Juha T.
    Conference proceedings : International Conference on Transparent Optical Networks (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 22.09.2020)
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen
 

Selaa kokoelmaa

NimekkeetTekijätJulkaisuajatAsiasanatUusimmatSivukartta

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen