Hyppää sisältöön
    • FI
    • ENG
  • FI
  • /
  • EN
OuluREPO – Oulun yliopiston julkaisuarkisto / University of Oulu repository
Näytä viite 
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Design of multi-stacked CMOS mm-wave power amplifiers for phased array applications using triple-well process

Montaseri, Mohammad Hassan; Vuohtoniemi, Risto; Aikio, Janne; Rahkonen, Timo; Pärssinen, Aarno (2018-12-13)

 
Avaa tiedosto
nbnfi-fe201902134755.pdf (631.0Kt)
nbnfi-fe201902134755_meta.xml (36.86Kt)
nbnfi-fe201902134755_solr.xml (29.31Kt)
Lataukset: 

URL:
https://doi.org/10.1109/NORCHIP.2018.8573452

Montaseri, Mohammad Hassan
Vuohtoniemi, Risto
Aikio, Janne
Rahkonen, Timo
Pärssinen, Aarno
Institute of Electrical and Electronics Engineers
13.12.2018

M. H. Montaseri, R. Vuohtoniemi, J. Aikio, T. Rahkonen and A. Pärssinen, "Design of Multi-Stacked CMOS mm-Wave Power Amplifiers for Phased Array Applications Using Triple-Well Process," 2018 IEEE Nordic Circuits and Systems Conference (NORCAS): NORCHIP and International Symposium of System-on-Chip (SoC), Tallinn, 2018, pp. 1-5. doi: 10.1109/NORCHIP.2018.8573452

https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
© 2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
doi:https://doi.org/10.1109/NORCHIP.2018.8573452
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe201902134755
Tiivistelmä

Abstract

This paper concerns with the design of multi-stacked CMOS millimeter-wave power amplifiers suitable for phased array front-end applications using triple-well process. The parasitics posed by the triple-well technique are studied and compensated using negative capacitance technique for proper operation. The design technique is evaluated using TSMC 28nm CMOS process at 28GHz operating frequency as a candidate operating band for 5G systems. The results illustrate a power gain of 25dB, 22dBm saturated power, and a maximum 38% PAE along with superior phase alignment between stacks.

Kokoelmat
  • Avoin saatavuus [37744]
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen
 

Selaa kokoelmaa

NimekkeetTekijätJulkaisuajatAsiasanatUusimmatSivukartta

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen