Hyppää sisältöön
    • FI
    • ENG
  • FI
  • /
  • EN
OuluREPO – Oulun yliopiston julkaisuarkisto / University of Oulu repository
Näytä viite 
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

A fully integrated 13 GHz CMOS SOI stacked power amplifier for 5G wireless systems

Aikio, Janne P.; Sethi, Alok; Shaheen, Rana A.; Akbar, Rehman; Rahkonen, Timo; Pärssinen, Aarno (2017-12-01)

 
Avaa tiedosto
nbnfi-fe201803216107.pdf (549.6Kt)
nbnfi-fe201803216107_meta.xml (49.54Kt)
nbnfi-fe201803216107_solr.xml (27.70Kt)
Lataukset: 

URL:
https://doi.org/10.1109/NORCHIP.2017.8124993

Aikio, Janne P.
Sethi, Alok
Shaheen, Rana A.
Akbar, Rehman
Rahkonen, Timo
Pärssinen, Aarno
Institute of Electrical and Electronics Engineers
01.12.2017

J. P. Aikio, A. Sethi, R. A. Shaheen, R. Akbar, T. Rahkonen and A. Pärssinen, "A fully integrated 13 GHz CMOS SOI stacked power amplifier for 5G wireless systems," 2017 IEEE Nordic Circuits and Systems Conference (NORCAS): NORCHIP and International Symposium of System-on-Chip (SoC), Linkoping, 2017, pp. 1-4. doi: 10.1109/NORCHIP.2017.8124993

https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
© 2017 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
doi:https://doi.org/10.1109/NORCHIP.2017.8124993
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe201803216107
Tiivistelmä

Abstract

This paper presents a fully integrated, four stack power amplifier for 5G wireless systems. The frequency of operation is tunable from 12 GHz to 14 GHz, with a maximum 3 dB bandwidth of 1 GHz and a maximum possible gain of 35 dB. The circuit is designed and fabricated using 45 nm CMOS SOI technology. Maximum RF output power, power-added efficiency (PAE) and output 1 dB compression point under maximum bandwidth configuration are 17.7 dBm, 23.2% and 12.3 dBm, respectively, achieved at 13.7 GHz.

Kokoelmat
  • Avoin saatavuus [37532]
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen
 

Selaa kokoelmaa

NimekkeetTekijätJulkaisuajatAsiasanatUusimmatSivukartta

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen