Hyppää sisältöön
    • FI
    • ENG
  • FI
  • /
  • EN
OuluREPO – Oulun yliopiston julkaisuarkisto / University of Oulu repository
Näytä viite 
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
  •   OuluREPO etusivu
  • Oulun yliopisto
  • Avoin saatavuus
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

An 80 × 25 pixel CMOS single-photon range image sensor with a flexible on-chip time gating topology for solid state 3D scanning

Ruokamo, Henna; Hallman, Lauri; Rapakko, Harri; Kostamovaara, Juha (2017-11-07)

 
Avaa tiedosto
nbnfi-fe2018122051449.pdf (355.7Kt)
nbnfi-fe2018122051449_meta.xml (35.06Kt)
nbnfi-fe2018122051449_solr.xml (26.18Kt)
Lataukset: 

URL:
https://doi.org/10.1109/ESSCIRC.2017.8094525

Ruokamo, Henna
Hallman, Lauri
Rapakko, Harri
Kostamovaara, Juha
Institute of Electrical and Electronics Engineers
07.11.2017

H. Ruokamo, L. Hallman, H. Rapakko and J. Kostamovaara, "An 80 × 25 pixel CMOS single-photon range image sensor with a flexible on-chip time gating topology for solid state 3D scanning," ESSCIRC 2017 - 43rd IEEE European Solid State Circuits Conference, Leuven, 2017, pp. 59-62. doi: 10.1109/ESSCIRC.2017.8094525

https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
© 2017 IEEE. Translations and content mining are permitted for academic research only. Personal use is also permitted, but republication/redistribution requires IEEE permission.
https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
doi:https://doi.org/10.1109/ESSCIRC.2017.8094525
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2018122051449
Tiivistelmä

Abstract

A solid state 3D scanner based on a pulsed laser diode source and narrow time gating of a 2D CMOS single photon avalanche diode (SPAD) detector array is presented. The imager uses an on-chip delay-locked loop to program the time gating of 40 sub-arrays individually. The prototype detector has 80 × 25 pixels with a fill factor of 32 % in the sensor area. The chip has been fabricated in a 0.35 μm high-voltage process and occupies a 5.69 × 5.02 mm 2 area. A 3D range image rate of ~5 frames/second with centimeter level precision is demonstrated to passive targets within a range of ~1 meter and FOV of 36 × 57 degrees.

Kokoelmat
  • Avoin saatavuus [37957]
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen
 

Selaa kokoelmaa

NimekkeetTekijätJulkaisuajatAsiasanatUusimmatSivukartta

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
oulurepo@oulu.fiOulun yliopiston kirjastoOuluCRISLaturiMuuntaja
SaavutettavuusselosteTietosuojailmoitusYlläpidon kirjautuminen